三星展望未来1.4nm GAA技术：更多的纳米片层数，更先进的背面供电，2027年量产
本帖最后由 埃律西昂 于 2023-10-29 19:04 编辑来源： The Elec
原文标题： 삼성전자 GAA공정 초격차 나선다…1.4nm 부터 '나노시트' 4개로 확대
三星电子（Samsung Electronics）正在弥补全栅极（GAA）技术的空白。该公司计划在于 2027 年量产的 1.4 纳米工艺中将纳米片的数量增加到四个。
25日，在首尔江南区COEX举办的半导体产学研交流研讨会上，三星电子晶圆代工部门副总裁Jong-Tae Chung表示："在1.4纳米工艺中，我们将把纳米片的数量增加到4片……1.4纳米工艺的目标是在2027年实现量产。"
GAA 是一种晶体管结构，其中栅极环绕电流流经的通道的四边。与现有的覆盖三个沟道的 FinFET 结构相比，这是一种能提高数据处理速度和能效的技术。三星电子从去年上半年开始量产采用 GAA 的 3 纳米工艺。竞争对手台积电和英特尔计划从 2 纳米工艺开始应用 GAA。
纳米片是 GAA 工艺中的通道。三星电子已经采用了薄而宽的纳米片形式的通道，并将其应用到 GAA 工艺中。三星目前正在量产的 3 纳米工艺采用了三层纳米片。
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Chung解释说："（增加纳米片）可以增加晶体管宽度，从而提高驱动力。"通过增加通道数量，可以最大限度地提高电子的移动速度。这使得半导体的速度更快。
纳米片的扩展有望帮助三星进一步拉大与台积电和英特尔的 GAA 技术差距。预计这两家公司将分别于 2025 年和 2024 年开始量产其 2 纳米工艺。英特尔将首先在自己的半导体生产中应用 2 纳米工艺。
三星电子也宣布将从 1.4 纳米工艺开始应用更先进的高级背面功率传输网络（BSPDN）。高级 BSPDN 被认为是常规 BSPDN 的后续技术。BSPDN 是一种将电源布线置于晶片背面的设计结构，可减少电源和信号线的瓶颈，提高单元利用率。三星电子计划从 2 纳米工艺开始引入 BSPDN。
在同一天，Chung 还解释了为什么公司在努力争取 3nm 客户。"他解释说，"台积电使用FinFET的 3nm 工艺和我们的 3nm 工艺具有相似的特点。"（但）就FinFET工艺而言，要进一步改进似乎并不容易，"他说，并补充说，他有信心 "我们将在明年发布第二代（3nm）工艺，我们的很多客户都会参与进来"。 更多的纳米片层数，更先进的背面供电.......烧更大的火？？？？？ [偷笑]电子技术的尽头是散热 这次三星会不会跑到台积电前面去？[偷笑] 啥东西让三星做都白给 sun1a2b3c4d 发表于 2023-10-30 10:35
这次三星会不会跑到台积电前面去？
三星掩盖黑点是一贯特点，我不怀疑三星的能力，但是三星文章（对外广告）没说的部分，比如良率，热量，性能，低功耗，这些可能都是潜在的问题，所以，这个文章的核心就是展示三星的实力，让你有超越台积电的这种感觉，但实际上未必 GAA终于量产了，啥时候民用能用上，想赶紧试试了。三星在GAA工艺上一直以来领先台积电。如果GAA的各项参数都不错的话，三星有机会打翻身仗。
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