SK海力士在IEDM 2023展示采用混合键合的HBM2e内存技术验证产品，预计未来将正式引入
本帖最后由 埃律西昂 于 2023-12-31 15:45 编辑来源： Businesskorea
原文标题： SK hynix Advances with Hybrid Bonding Packaging Technology in HBM
SK海力士正在加速开发一种名为“混合键合”的新工艺，以保持其在高带宽存储器（HBM）领域的全球领先地位。业界正在密切关注SK海力士能否率先应用这一梦想封装技术，继续引领特种存储器行业。
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据行业官员12月18日消息，SK海力士在本月于美国举行的全球半导体会议IEDM 2023上宣布，该公司已确保HBM制造中使用的混合键合工艺的可靠性。SK海力士报告中的第三代HBM（HBM2E）采用混合键合工艺制造，将DRAM堆叠成8层，通过了可靠性测试的所有领域。在这项测试中，SK海力士评估了HBM在高温下的使用寿命，并研究了客户在产品出货后芯片键合过程中可能出现的四类潜在问题。
混合键合被认为是 HBM 行业的“梦想工艺技术”。到目前为止，HBM 在 DRAM 模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而，通过混合键合，芯片可以在没有凸起的情况下连接，消除充当桥梁的凸起可显着减小芯片的厚度。
HBM 芯片的标准厚度为 720 μm。第 6 代 HBM （HBM4） 预计将于 2026 年左右量产，需要垂直堆叠 16 个 DRAM，这对于当前的封装技术来说具有挑战性，无法满足客户满意度。因此，混合键合工艺在下一代 HBM 中的应用在业界被认为是不可避免的。
SK海力士今年已经宣布计划将混合键合应用于其HBM4产品。虽然该测试是在第三代产品上进行的，该产品的要求远低于 HBM4 规格，并且只有一半的 DRAM 层数（8 层），但这在向外部展示混合键合的潜力方面具有重要意义。
SK海力士是今年半导体行业HBM热潮的关键参与者。公司在今年的第五代 HBM 生产中率先引入了批量回流模制底部填充 （MR-MUF） 工艺，从而保持了其在 HBM 行业的领导者地位。 据说明年的已经采购了。
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