传三星HBM开发采用“双规制”， 另建团队专门负责HBM4项目
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士，最近正加大投入，以追赶竞争对手。
据The Elec报道，三星另外组建了团队专门负责HBM4项目，从3月起将以往的HBM4工作组转变为常设的办公室。与此同时，现阶段HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。三星之所以在HBM开发上选择采用“双规制”策略，是为了加快HBM产品的开发进度，以便赶超竞争对手，抢夺高附加值DRAM市场。
负责HBM4开发的新团队由三星DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon负责，并直接向三星存储芯片业务总裁Lee Jung-base汇报工作，内部也通过调整主要人员等手段来加强新建开发团队的实力。上个月三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。
据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（比如8/12/16层堆叠）来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术，这点之前三星已经有过介绍。
之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。
新闻来源：https://www.expreview.com/93719.html
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