三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料， 可降低层高和延迟
原文地址：https://www.expreview.com/94615.html今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。
据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。
与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。
相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。 最重要的0E 不要再出现了啊。。 应该还是优先供应企业级…
最近几年的新技术让企业级固态的容量增加的飞快啊 happyqingmo 发表于 2024-7-5 15:44
应该还是优先供应企业级…
最近几年的新技术让企业级固态的容量增加的飞快啊 ...
没有，V9 TLC先上990Pro VictorTDD 发表于 2024-7-5 21:40
没有，V9 TLC先上990Pro
那我还是等大船吧哈哈
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