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[内存] dram refresh interval设置65535到底是啥原理?AMD有么?

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发表于 2022-11-16 14:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
RT,之前用Z370的时候看超频这项都是设置65535,我内存超频没学会,这项记得挺清楚。
今天试了下DDR3也有这个选项,改成65535延迟直降2ns……
所以这个选项设置65535到底啥意思?我在AM4的主板上好像找不到这个。
发表于 2022-11-16 14:29 | 显示全部楼层
dram 每个单元是 1 个电容 1 个晶体管, 电容会漏电, 需要定期刷新(判断数据的 1/0 值, 再把数据写回), 刷新期间不能正常读写
刷新命令是 REF, REF 与其他有效命令的最小间隔是 tRFC, REF 命令之间的最小间隔是 tREFI
AM4 调不了 tREFI
 楼主| 发表于 2022-11-16 14:32 | 显示全部楼层
xy. 发表于 2022-11-16 14:29
dram 每个单元是 1 个电容 1 个晶体管, 电容会漏电, 需要定期刷新(判断数据的 1/0 值, 再把数据写回), 刷新 ...

所以这个设置65535是让刷新时间变大么?会有什么问题么?
发表于 2022-11-16 14:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 xy. 于 2022-11-16 14:39 编辑
Phil_Libra 发表于 2022-11-16 14:32
所以这个设置65535是让刷新时间变大么?会有什么问题么?


刷新间隔太长, 电漏完了还没刷新, 数据就坏了呗
 楼主| 发表于 2022-11-16 14:53 | 显示全部楼层
xy. 发表于 2022-11-16 14:37
刷新间隔太长, 电漏完了还没刷新, 数据就坏了呗

看来还是改成默认吧
发表于 2022-11-19 17:39 | 显示全部楼层
xy. 发表于 2022-11-16 14:29
dram 每个单元是 1 个电容 1 个晶体管, 电容会漏电, 需要定期刷新(判断数据的 1/0 值, 再把数据写回), 刷新 ...

现在有了,ROG B650E可以改65535,成绩暴增
发表于 2022-11-19 18:03 | 显示全部楼层
这个问题TOPPC林大好像专门讲过 改65535可以提升跑分 但是可能降低稳定性
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