本帖最后由 埃律西昂 于 2023-1-7 13:45 编辑
简介：
消息称三星下一代（第9代）V-NAND将于2024年量产，达280层级；而第10代V-NAND将首次采用三堆叠结构，并跳跃至430层级，以实现到2030年生产1000层V-NAND的目标。
来源： The Elec
原韩文标题： 《속도내는 '이재용式 초격차'...삼성, 차세대 V낸드 10세대 430단대 직행 검토》
삼성전자가 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하겠다고 밝힌 가운데, 차세대 V낸드 로드맵 윤곽이 조금씩 드러나고 있다. 최근 삼성전자는 8세대 V낸드(236단)를 양산을 시작한 가운데 2024년 양산 계획 중인 9세대 V낸드는 280단 대인 것으로 알려졌다.
주목할 부분은 10세대 V낸드다. 삼성전자는 2025~2026년 양산 예정인 10세대 V낸드의 경우 300단 대를 넘어서 곧바로 430단 대로 직행하는 것을 검토 중이다. 2030년 1000단 V낸드 개발 목표에 따른 세부 작업이 차근차근 진행되고 있다는 분석이다. 이재용 회장이 강조하는 '초격차 전략'의 실행 속도가 더 빨라지고 있다는 관측도 나온다.
4일 업계에 따르면 삼성전자는 9세대와 10세대 등 차세대 V낸드 단수에 대한 대략적인 로드맵을 짜고 제품 개발을 다각도로 진행 중이다.
삼성전자가 2013년 세계 최초로 개발한 V낸드는 수직으로 쌓아 올린 평면 단의 3차원 공간에 구멍을 뚫어 각 층을 연결하는 기술이다. 2013년 등장한 1세대 V낸드는 24단이었다. 이후 2세대 32단, 3세대 48단, 4세대 64단, 5세대 92단, 6세대는 128단으로 출시했다. 각 세대는 대략 1년에서 1년 6개월간 양산 기간을 거쳤다. 지난해부터 176단으로 구성된 7세대 제품을 양산하기 시작했다.
특히 7세대 V낸드의 경우 삼성전자가 처음으로 싱글스택에서 더블스택으로 전환한 공정을 활용했다는 점에서 주목받았다. V낸드 적층 기술은 가장 아래에 있는 셀과 맨 위층에 있는 셀을 하나의 묶음(구멍 1개)으로 만든 ‘싱글스택’과 묶음 두 개를 하나로 합친 ‘더블스택’으로 나뉜다. 셀을 묶는 구멍이 적을수록 데이터 손실이 적고 전송 속도가 빠르다. 때문에 더블스택 대비 싱글스택이 더 우수한 기술로 평가받는다.
다만 싱글스택은 기술적인 한계로 인해 쌓아 올릴 수 있는 단수가 제한적이다. 때문에 200단 이상 V낸드를 구현하기 위해선 더블스택으로 전환이 필수다. 최근 양산을 시작한 8세대 V낸드는 본격적으로 더블스택을 적용한 제품이다. 삼성전자는 별도로 단수를 밝히지 않았지만 236단으로 알려졌다.
삼성전자는 지난 10월 초 미국 실리콘밸리 “삼성 테크 데이‘에서 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 밝힌 바 있다.
2년 뒤에 양산할 9세대 V낸드의 단수는 280단 대로 추정된다. 3D 낸드플래시 초기에는 8의 배수로 적층됐다. 낸드플래시 용량이 바이트(Byte) 단위로 1바이트는 8비트(bit)였기 때문이다. 하지만 최근에는 공정 기술이 다양해지면서 굳이 8의 배수로 적층하지 않는 경우도 많아졌다. 때문에 280단 대에서 마지막 한 자릿수는 바뀔 가능성도 있다.
주목할 포인트는 10세대 V낸드다. 10세대의 경우 300단 대를 뛰어넘고 바로 400단 대로 직행해 430단 대를 적용하는 것을 검토 중인 것으로 알려지고 있다.
삼성전자가 200단 대 후반에서 바로 400단 대로 직행하는 이유는 알려지지 않았다. 다만 삼성전자가 7세대 V낸드 제품부터 두 번에 나눠 쌓는 더블스택을 적용했듯이 10세대 V낸드 제품부터 트리플스택을 적용할 가능성이 제기된다. 업계 한 관계자는 “V낸드의 경우 400~500단부터 트리플스택을 적용하지 않으면 구현하기 어렵다”고 말한다. 물론 개발 과정에서 비용 대비 생산성 확보, 수율 문제 극복 등은 과제가 될 전망이다.
9세대와 10세대 V낸드는 현재 연구실 단위에서 개발 중인 상황이다. 실험 결과는 물론 양산 적용 과정에서 삼성전자가 적용할 차세대 V낸드 단수는 얼마든지 바뀔 수 있다. 또 삼성전자는 최근 들어 V낸드 단수 자체에 대해 큰 의미를 부여하지 않는 모습이다. 경쟁사가 단수를 마케팅 측면에서 이용하는 경우가 많다고 판단하기 때문이다.
가령 삼성전자가 더블 스택 기술로 280단을 쌓아 올린다고 하면 경쟁사들이 트리플 스택으로 300단 이상 쌓아 올린 것보다 원가 등에서 유리할 수도 있다. 때문에 삼성전자 측은 “똑같은 단수여도 높이를 최대한 낮게 쌓아 크기를 줄이는 것이 핵심 경쟁력이며 어떻게 효율적으로 쌓아 올릴 것인지가 더 중요하다”고 강조한다.
한편 삼성전자 관계자는 “V낸드 개발 로드맵과 관련해 지금 시점에서는 공개하기 어렵다”고 말했다.
机翻：
三星电子表示，到2030年将开发1000层V-NAND，新一代V-NAND路线图的轮廓正在逐渐浮出水面。据悉，最近三星电子开始量产第8代V NAND（236层），而计划于2024年量产的第9代V-NAND则以280层为大。
值得关注的部分是第10代V-NAND。三星电子正在讨论在2025~2026年量产的第10代V NAND，越过300层，直接直接进入430层。分析认为，根据2030年1000层V-NAND开发目标，正在逐步进行详细工作。有分析认为，李在庸会长强调的“超差距战略”的执行速度正在加快。
4日，据业界透露，三星电子正在制定第9代和第10代等新一代V-NAND层数的大致路线图，并从多角度进行产品开发。
三星电子于2013年在世界上首次开发的V-NAND是将垂直堆叠的平面团的三维空间打孔，连接各层的技术。2013年登场的第一代V NAND是第24层。之后，第二代32层、第三代48层、第四代64层、第五代92层、第六代128层上市。每一代产品都经历了大约1至1年零6个月的量产期。从去年开始量产由176层组成的第七代产品。
特别是第7代V-NAND，三星电子首次利用了从单一叠置改为双叠的工艺，因此备受关注。V-NAND 堆叠技术分为“单堆叠”和“双叠”，将最下面的单元格和顶层的单元格组合成一个组（一个孔）和两个捆绑包。束缚单元的孔越少，数据丢失越少，传输速度越快。因此，与双叠相比，单叠被评价为更好的技术。
但是，由于技术限制，单堆叠的层数有限。因此，为了实现200层以上的V-NAND，必须转换为双叠。最近开始量产的第八代V-NAND是正式应用双叠的产品。三星电子虽然没有透露单数，但据悉是236层。
三星电子曾于10月初在美国硅谷“三星技术日”上表示，计划在2024年量产第九代V-NAND。
据推测，2年后量产的第9代V-NAND的层数为280层。在3D NAND闪存的早期，它以8的倍数堆叠。这是因为 NAND 闪存容量为 8 位 （bit），以字节 （Byte） 为单位。但是最近，随着工艺技术的多样化，不用8的倍数堆叠的情况也越来越多。因此，在280段中，最后一位数有可能发生变化。
值得关注的亮点是第10代V-NAND。据悉，10代正在讨论超越300层，直接进入400层，适用430层。
三星电子从200层后半段直接进入400层的原因尚不清楚。但是，正如三星电子从第7代V-NAND产品开始，分两次进行“双叠”一样，从第10代V-NAND产品开始，有可能适用“三重叠”。一位业内人士表示：“对于V-NAND来说，如果不从400~500层开始实施三重叠现，就很难实施。”当然，在开发过程中，确保生产效率与成本、克服产量问题等将成为课题。
第9代和第10代V NAND目前在研究室单位进行开发。不仅是实验结果，在量产应用过程中，三星电子将应用的新一代V-NAND层数也会随之发生变化。另外，三星电子最近似乎对V-NAND层数本身没有太大的意义。因为，竞争对手在营销方面经常利用层数。
例如，如果三星电子使用双堆栈技术积累280层，那么在成本等方面比竞争对手用三重堆栈堆叠300层以上更有优势。因此，三星电子方面强调：“即使相同层数，将高度尽可能低，缩小尺寸才是核心竞争力，如何有效地积累才是更重要的。”
另外，三星电子相关人士表示：“目前很难公开V-NAND开发路线图。” |
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发表于 2023-1-4 17:59
