SK海力士高管：预计从HBM4开始，HBM的逻辑芯片部分将换用逻辑半导体工艺

埃律西昂

四层HBM2结构示意图，底部绿色部分即为其逻辑芯片，来自Intel

四层堆叠的HBM2结构示意图，底部黄绿色部分即为其逻辑芯片。图源Intel。

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来源： The Elec
原韩文标题：《[IEIE 2023] "메모리반도체 업계, HBM4부터 로직다이 파운드리 통해 생산"》

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SK hynix和三星电子等主要内存半导体公司正准备从HBM4开始使用逻辑半导体工艺生产其逻辑芯片部分。逻辑芯片旨在通过为CPU和GPU增加内存控制器功能来提高系统效率。

SK hynix副总裁Myung-jae Park29日在济州岛西归浦乐天酒店举行的电气和电子工程师协会（IEIE）2023年夏季大会上发表了题为 "HBM的技术挑战和发展方向"的讲话。

"在存储器半导体行业，我们正准备在代工厂生产HBM4逻辑芯片，"Myung-jae Park说。"我们期望使用最先进的逻辑工艺，不仅可以降低功率，还可以实现各种功能。"

HBM是由多个DRAM垂直堆叠而成的下一代内存产品。它的特点是比传统DRAM更高的I/O，这大大提高了数据处理速度。HBM由一个堆叠DRAM的核心芯片和一个具有接口功能的逻辑芯片组成。在HBM3之前，逻辑芯片是使用DRAM工艺生产的。

SK hynix预计将依靠海外代工公司，如TSMC和Global Foundry来生产逻辑芯片。三星电子可能会使用自己的代工厂生产逻辑芯片。

"使用代工厂生产逻辑芯片意味着我们的客户（如Nvidia）和我们可以使用相同的工艺，"副总裁Myung-Jae Park说，"我们预计这将创造各种合作机会。""我们的优势还在于能够将各种非内存设计资产（IP）应用于逻辑芯片"。

具体来说，据证实，正在考虑向逻辑芯片增加内存控制器功能。存储控制器离存储单元越近，效率就越高。把内存控制器移到逻辑芯片上也能为处理器制造商降低成本做出贡献。

这也可以节省电力：HBM3逻辑芯片采用DRAM工艺生产，其耗电量比逻辑工艺大。随着未来的代工生产，逻辑芯片的功耗可以大大降低。

"通过在我们的代工厂生产HBM逻辑芯片，我们将能够创造一种新型的存储器。"Park说。

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这个制造思路比较清奇。