SK海力士：预计2026年推出HBM4，堆叠层数将扩展至最高16层

埃律西昂

而根据韩媒 알파경제 上月底的报道  ( https://m.alphabiz.co.kr/news/view/1065565832745100 )，三星将于2025年量产HBM4，采用混合键合技术。
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韩媒 《韩国经济新闻》 报道：
https://www.hankyung.com/article/2023091101901

相关报道译文见下。

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• "客户对 D-RAM 的要求是'高性能'，而不是'低成本'"（Sang-Joon Hwang，D-RAM 开发负责人兼三星电子副总裁）
• "D-RAM 已成为基于订单的业务"（Myungsoo Park，SK hynix D-RAM 营销副总裁）
  

在 11 日举行的 2023 年韩国投资周（KIW）半导体分会上，D-RAM 的演变是最大的话题。在人工智能（AI）时代，D-RAM 的地位正在从单价 2 到 3 美元的商品转变为为客户 "定制 "的高附加值产品。

高带宽内存（HBM）就是一个典型的例子，预计未来五年的复合年增长率将达到 80%。CXL D-RAM 和 PIM 等下一代 D-RAM 也有望开创 "以内存为中心的计算时代"。

Hwang 首先谈到了商业环境。关于最近的经济衰退，他说："在周期中，我们本应在 2021 年看到'衰退'，但供应链崩溃导致客户积累库存。""去年的库存积累导致了大衰退，"他解释道。关于复苏的时间，他说："由于减产的影响，从今年第三季度开始供需将趋于平衡，从第四季度开始需求将增加。"

英特尔的第四代至强可扩展处理器Sapphire Rapids，也被认为是复苏的一个积极因素。英特尔韩国公司销售总经理Seung-ju Na说："上个月中旬，我们出货了100万个Sapphire Rapids。""对DDR5内存半导体的需求也在增加。"

生成式人工智能是推动 DRAM 市场增长的关键因素。人工智能学习和推理需要处理大量数据。这意味着对与处理器一起处理数据的 HBM 的需求必将增长。HBM 是通过堆叠和封装多个 D-RAM 而制成的高性能产品。

SK hynix 预计，未来五年，HBM 的需求复合年增长率将达到 82%。"AI服务器需要500GB以上的HBM和2TB以上的DDR5，"Park说，"AI竞争是内存需求增长的强大驱动力。"三星电子还预计，明年的 HBM 市场将比今年增长一倍以上。"目前，客户的需求量是去年的两倍多，"Hwang 说。"竞争力将取决于我们如何提供 HBM 产能、封装和代工。"

Park 表示，随着 HBM 的出现，D-RAM 行业正在转变为 "定制业务"。我们提前两到三年就开始讨论路线图，"Park 强调说，客户的 "锁定 "能力比以前更强了。

三星电子和 SK 海力士计划积极开发新产品。今天，SK 海力士提出了在 2026 年推出第六代 HBM "HBM4 "的蓝图。它将拥有 12 层或 16 层 D-RAM。公司还将开始与代工厂合作开发 HBM4。

会上还介绍了 CXL D-RAM 和 PIM 的蓝图。CXL 是有效利用半导体的下一代接口，当服务器需要数据时，使用 CXL 的 D-RAM 可以像 "外置硬盘 "一样使用。PIM 是一种 DRAM，位于 CPU 等处理器旁边，帮助处理数据。

纳表示："我们预计明年下半年发布的高性能 CPU'Granite Rapids'将引发对 CXL D-RAM 的需求"。

三星电子围绕三大支柱瞄准市场：具有超高速和低功耗特性的 "近内存"，如 HBM3，它紧靠 CPU；"主内存"，如 DDR5；以及 "超大容量内存"，如 CXL D-RAM。Hwang 说："PIM 与 CXL 接口的结合将进一步提高 D-RAM 的利用率"。