应对z高度增加问题，三星、SK海力士将在16层堆叠HBM内存的封装上采用不同技术路线

埃律西昂

来源： The Elec
原文标题： "삼성, HBM 16단에 하이브리드 본딩 적용…SK하이닉스는 TC 본딩"

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生成式人工智能（AI）热潮正在推动高带宽内存（HBM）堆叠技术的发展。据预测，16 层产品最早将在两年后开始量产。目前量产的最高层是 HBM3 12 层产品。亚马逊网络服务公司最近推出的 Trainium 2 就使用了这种产品。行业分析师认为，在 16 层产品实现量产之前，需要解决外形尺寸问题。这是因为需要在与 12 层相同的外形尺寸内堆叠一个逻辑芯片和 16 个 D-RAM 芯片。据报道，为了解决这个问题，三星电子计划采用混合接合技术，SK hynix 则计划采用先进 MR-MUF（大规模回流焊）技术。

TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 最近在接受 Dilek 采访时说："采用混合键合（HBM）的工程样品或定制样品很快就会推出。""最初的应用很可能是用于连接逻辑芯片和第一个 D-RAM 芯片，或者用于连接逻辑芯片和 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）。"

他说："（SK hynix）似乎已经成功开发出一种具有一定热传导性并能充当电介质的薄膜，"他补充说，"这将使他们能够降低（HBM）的高度并增加单元数量。"Choi 所描述的薄膜在 SK hynix 被称为高级 MR-MUF。



Choi说，目前两家公司的HBM研究重点是三星的混合键合和SK hynix的先进MR-MUF。HBM 是一种高规格内存半导体，用于图形处理器（GPU）和专用集成电路（ASIC），由一个逻辑芯片和四个 D-RAM 芯片组成。最新产品 HBM3 12-stage 正在由三星电子和 SK Hynix 量产，两家公司正在以不同的方式制造 HBM。

首先，三星使用热压焊（TC）将芯片连接到芯片。它使用非导电薄膜 (NCF) 作为芯片堆叠之间的电介质。美光正在使用同样的技术制造 HBM。SK hynix 使用助焊剂堆叠芯片和芯片，无需加热和加压。然后在芯片之间填充 MUF，同时使用 MR 对芯片进行附着和成型。

Choi 预测，三星只会在某些 HBM 工艺中抢先采用混合键合技术。逻辑芯片和最低的 D-RAM 芯片将被连接起来，以最大限度地利用外形空间。他还解释说，还可以进一步应用于连接 EMIB 和逻辑芯片。混合键合被誉为下一个重要的封装技术。它是将晶圆或芯片堆叠在一起，形成一个单一的半导体。它具有改善输入/输出（I/O）和导线长度的优势。

据报道，SK hynix 计划在其 16 级及以上产品中采用混合键合和先进的 MR-MUF。

最后，Choi 说："由于对 HBM 的需求不断增加，相关技术的发展速度非常快。"他补充说："（SK hynix）认为，（以目前的制造方法）最多可以生产 24 档产品。

TechInsights 是全球最大的半导体逆向工程公司。它为半导体公司提供专利侵权分析等服务。Choi 是 TechInsights 的高级副总裁，负责存储器部门。