SeaSonic M12II-650W 评测

风扇靠近电源出风口装有挡风板，防止气流短路，以便更好的吹透内部元件：

AC电源插座背面，有一块EMI滤波元件PCB板，板子底面与机内之间有接地铜箔做隔离：

下图可以看到，这块EMI滤波子板上有一枚差模扼流圈，一枚C电容及两枚Y电容等滤波元件：

内部元件及线路总览，海韵自家的产品，从正面看元件布局较为整齐：

主PCB背部焊接面，使用了较多的贴片元件，部分大电流走线有敷锡增流：

EMI元件一侧，大体积元件的固定比较到位，打了固定胶固定，两侧的散热器焊接较为竖直，海韵在中端产品上仍能保持一定的工艺水平：

PFC元件一侧，**的散热片上安装的是PFC  MOS管：

一次侧PFC+PWM控制子板及二次侧管控保护子板：

模组化接口PCB正面，通过若干线束与主PCB相连，模组板PCB上加焊了4个电解电容进行额外的滤波：

模组化接口PCB背面：

主PCB的出线区域，线束根部套有热缩管，细节处理较为到位：

主PCB上保留了两枚共模扼流圈：

交流市电经过滤波后，由两枚并联的GBU606 600V 6A整流桥进行整流：

PFC升压电感，因为该电感被布置在两片散热器中间，为了加强绝缘，电感两侧覆盖有绝缘胶片。另外，防涌浪电流保护用的NTC元件，也紧挨着电感放置：

PFC+PWM控制IC，Champion CM6802，使用了一块子板安装在主PCB上：

主PCB上嵌焊有铜板提高电流通过能力：

PFC电感是两枚日化KMR系列220uF/400V高压电解电容并联使用，耐温105摄氏度，参数较好：

PFC MOS管，仙童FDP18N50ND，650W型号的M12II用了两枚这种规格的MOS并联使用，散热片上预留了3枚的安装位置，在850W型号中，可以安装3枚以对应更大功率：

PFC升压二极管，下图散热片上右侧的管子，为ST品牌的STTH8S06D，600V8D超快恢复二极管，与双管正激PWM电路的两枚管子安装在同一片散热片上：

驱动PWM MOS用的脉冲变压器：

PWM电路的主变压器用的是ERL39体积铁氧体磁芯，设计上应与850W型号一致：

因为没有面向更高效的目标，M12II-650W的12V主电流整流方式仍沿用了肖特基二极管整流。下图是整流管所在的散热片。管子型号为DIODES品牌的30A50CT，50V 、30A规格。一共用了4枚该型号的管子。按每枚管子2个二极管芯算，M12II的650W型号用了3个15A二极管芯做整流管，5个做续流管。相信M12II-850W型号将会补足全部的6整流管：

12V输出储能电感用的是33mm直径的铁硅铝磁环。另外还有辅助绕组产生-12V电压：

-12V电压的稳压管，风扇温控电路也布置在附近。温控电路的温度取样点设置在12V整流管散热片上：

12V电压经整流、储能后由3枚日化KZE系列2200uF/16V电解电容进行滤波，再由三枚扼流圈输送至DC2DC子板及两路12V输出：

产生5V和3.3V电压的DC2DC子板，用了蓝色的铁硅磁环、黑色的铁硅铝磁环及日化PSC系列输入固态电容，做工水平向高一级产品M12D的 DC2DC子板看齐：

DC2DC子板背面通过铝金属片与MOS管及控制IC接触加强散热：

DC2DC使用英飞凌IPD060N03L3G MOS管，控制IC是APW7159：

DC2DC子板与主PCB上的日化电容一道完成转换输出，5V和3.3V用的都是3300uF/10V KZE日化电解电容：

出线区域里布置了CLC滤波电路：

5Vsb待机电路是使用了英飞凌ICE2QR4765智能功率IC的反激电路：

EF20小型反激变压器：

5Vsb待机电压的整流管使用了TO252封装的肖特基二极管，焊接在主PCB背面；滤波为红宝石ZLH系列3900uF/16V电解电容+扼流圈+日化KZE系列1000uF/10V电解电容的CLC滤波电路：

M12II-650W的管控保护IC是PS223，提供OVP，UVP，OCP，OTP等多种保护功能并产生PWR-GOOD信号：