SilverStone ST-1000-P评测

线路板及元件内部图，这里大家可以看到内部结构、制作工艺与金游侠ST1000-G同出一辙，均为台系厂家益衡（Enhanced）代工。其选用的T字截面的肋型散热片，较好兼顾了散热表面积及风流穿透力：

从以下拆解图片的视角也能看到，ST1000-P的EMI解决策略也相当到位：L，N间并联两枚X电容、X电容电荷泄放电阻，对地连接Y电容， L、N线材至电源板、地线至电源外壳均套有EMI磁环：

模组化PCB的正面：

模组化接线板一侧的内部图，可以看到，金游侠采用了大线号（16AWG）线束将主PCB上的各路电压传输至模组板的连接办法。另外模组化PCB上还通过嵌焊铜条的方式来增大电流通过能力：

机内输出接线区域，所有接线，无论是信号线还是大电流走线均使用端子压接后再焊接于PCB，线材根部套热缩管的处理方式。注意能观察到将12V电压输出至模组板中的两束线束，没有使用热缩管，应该是属于人为疏忽。这两束线束为根据Strider Plus不同瓦数的型号进行不同线束的配置，例如对于低功率的Strider Plus，可能该两束12V输出线仅焊接一束，也可能完全空着。在生产ST1000-P时两束线是手工加焊的，插线时可能漏套上热缩管。

再次看到益衡工艺象征的清晰、简洁的PCB布线，由于ST1000-P是双磁放电源，与ST1000-G在二次侧布线上略有不同：

以下是ST1000-P各部分电路功能介绍： 

机内EMI抑制电路说明，ST1000-P为完整的两级EMI抑制电路，其中一枚X电容因空间受限，被放置于整流桥后方。

两个共模扼流圈绕组线径非常粗，每组绕组均双层绕制，确保具有足够大的感量。

另外经过对ST1000-P 整流桥部分PCB的观察，发现ST1000-P的设计是可以安装、焊接三个整流桥元件的。同样是因为这三个整流桥焊盘占了不少空间，两个X电容都被挤得“前移后置”了。但在本次的评测样品ST1000-P上，仅装置了1个整流桥元件，难道预示着有更大功率的银牌游侠（1500W）？：

PFC电路，布局与ST1000-G如出一辙：

PFC电感为33mm直径铁硅铝双环层叠后绕制，绕组线材为1.8mm直径漆包线，双层绕制。

PFC电容为红宝石USC系列，270uF/420V *2的高压电解，容量相对较小，耐温性能为85摄氏度下2000小时。为了保持足够的保持时间（holdup time），PWM变换器的初始占空比必须相应减小。

PFC电容充电涌浪电流抑制的NTC元件串接于预充电二极管回路，PFC电路工作后即反向偏置，相当于开路，消除使用继电器形式放涌浪电流电路的损耗：

        由于PFC/PWM功率元件紧挨PFC电容、PFC电感等大体积元件后侧，受角度限制，型号无法直观拍摄。经过仔细观察，辨识出PFC MOS为英飞凌COOLMOS CP的IPW60R099CP，TO247封装，两枚并联使用，能有效降低低压重载下的导通损耗； PFC二极管为ST的STTH15R06D，15A600V属超快恢复二极管器件，电流通流量比一些1200W电源选材还要高；PWM MOS为英飞凌的SPW32N50C3，32A 500V COOLMOS C3器件，同样为TO247封装。ST1000-P电源的PFC、PWM均为硬开关拓扑，使用COOLMOS C3/CP管子可以说属于标准配置，另外银欣能在ST1000-P产品上坚持使用TO247大体积封装的MOS功率管，应付负载跳变等恶劣工况时可靠性能提高不少。

主变压器，ERL39磁芯，绕组为三文治结构，原边绕组为利兹线，副边绕组使用铜带，能有效降低趋肤效应及邻近效应。同时变压器漏感亦能优化至最小。ST1000-P的主变除了副边12V绕组外，还多了两个绕组的引出端子，如下图上方横着走线的一粗一细两条引线。左边较细的为同步整流MOS管自驱动辅助绕组，右边较粗的为生成5V和3.3V电压的带抽头绕组，具体作用，请看5V和3.3V 磁放大稳压电路的解释：

        ST1000-P虽然是银牌电源，但是并没有刻意在12V同步整流电路上降低规格与金牌游侠电源拉开档次差距。其主12V的整流电路仍然运用了完全同步整流，整流MOS管为使用主变压器辅助绕组的自驱动形式；驱动续流管MOS管的方式为使用脉冲变压器将原边PWM信号传递至副边、经处理后再以独立的图腾柱放大电路进行驱动。整流、续流各使用了两枚MOS功率管并联，型号均为AOT480L，单管能耐受电流180A，Vds耐压80V，典型通态电阻为4.5毫欧，余量较为充足。

12V输出储能电感为33mm直径铁硅铝磁环+1.8mm线径漆包线5线并绕绕制。注意该磁环并没有将所有的空间绕满，可见磁性材料的选用，仍比较侧重于提高动态性能：

ST1000-P的PCB设计也是允许配置为四路12V输出的，但代工厂益衡在生产时为其中3路配置了检流电阻，最后将输出4路12V全通过铜棒连接在一起。这样就相当于单路12V的大电流电源了：

输出接线区域里数量较多、布置较密的各路输出滤波电容。右边四颗为主12V输出滤波，Su'scon品牌，16V，2200uF。左边的四颗为3.3V和5V两路电压各自的输出滤波电容。其中3.3V使用了两枚Su’scon的3300uF/6.3V电解电容，5V使用了同品牌的两枚3300uF/10V电解电容。由于市场定位及成本造价所限，ST1000-P的并没能用上全日系电容。

5V和 3.3V两路电压均由主变第二个绕组经磁放大稳压电路转换得来。以下是隐藏在主变隔壁的两枚磁放大非晶磁环。在这里要像大家说明一下ST1000-P主变压器而绕组的作用与意义：通过使用12V绕组抽头输送峰值电压较低的脉动直流给磁放大电路使用，能够有效降低磁放大稳压电路整流管的电压应力。或者说，能够选用耐压和正向压降更低的肖特基整流管，从而提高效率：

        5V和3.3V输出电压各使用两枚肖特基二极管完成整流及续流功能，ST品牌的STPS60L45CW，TO247封装，每枚管子能在150度下承受60A电流，此时压降仅为0.5V，单纯从功率元件的选用来说，ST1000-P的磁放大电路非常能扛。

        另外一个比较有特色的电路就是，ST1000-P的5V和3v3使用的是耦合输出电感。从线路板布局上看，使用着耦合电感主要是为了配合电源实现16cm短身设计而缩减占机内空间的部件。当然，另外也获得了一项附加的收获，就是5V和3.3V两路电压的交调稳压特性变好了。

5VSB待机电路的EEL19磁芯变压器：

5VSB输出滤波电路，使用的C-L-C低通滤波形式，如下图中元件。在关键的、需要耐受大涟电流的第一级滤波电容上，ST1000-P选用了日化KZE系列2200uF/16V电解电容，但第二级滤波电容随即又换回了Su’scon品牌的1500uF/10V电解电容：

接下来是ST1000-P PWM/PFC控制及保护电路子板。右方为一次侧控制电路，使用的是Champion CM6802 PWM/PFC整合控制IC，及德仪UC2715 MOS驱动IC；左方为二次侧保护及控制电路，使用的是晶点PS232S，提供OVP，UVP，OCP，OTP等多种保护功能并产生PWR-GOOD信号。

风扇控制电路，简单的热敏电阻Rt-V调压电路，控制风扇转速。

ST1000-P同样使用了双保险的过温保护：一枚NTC电阻用于感应同步整流管所在散热片的温度，并调控风扇转速；另一枚用于进行过温度（OTP）保护：