极致发挥5800X－ZEN3内存提升10%变得如此简单！带你跑入50ns！

psone

说明：本贴只适用于微星主板1.100版BIOS，后续1.200版BIOS巨大差异，请留意新贴1.200版。
ZEN内存控制器的拉胯留下不好口碑，随着一代代的提升，到了锐龙四代后发现内存性能也有了进步，但奈何万能互联网并无详细教程，上代没有完全解析，那么这代来个全面性能探索，直观反应性能差别。理论跟实际使用来说，我认为电脑就是使用的，稳定提升性能才是最重要，摸索了许长时间，共享一下技术，让小伙伴们在升级硬件的同时得到更大免费提升！

要发挥内存最大性能首先稳定最高FCLK1：1内存，看上贴稳定最高FCLKhttps://www.chiphell.com/forum.p ... &extra=#pid46530144


内存电压构成组合
内存性能由频率与参数组成，频率由电压控制，参数由内存电压和SOC电压控制，SOC电压相当于英特尔的SA和IO电压，当提高SOC电压稳定FCLK时，就发现高电压SOC会对内存参数有很大帮助，以往在同主板内存不同U下，其参数极限无法稳定，上代ZEN2中调试内存极其麻烦和耗时，经常会测到一半出错，但到了ZEN3就改进很大。

特性
1、在1.2V－SOC电压下，即使内存电压不高（1.4V）其参数已可稳定超越上代U的极限
2、能开即能稳定，部份参数以主板最低值开机并稳定过测试
3、其参数功能未必与上代相同
1、先来调电压

SOC电压飞起来！
内存安全电压看内存类型，一般1.45V为普通内存上限（三星BDIE颗粒1.5V，1.5V以上需要风扇，1.65V上限）

2、内存第一参数（调整参数以实测性能反应先收集素材）

以上手内存NOX－3600－8GX2（BDIE颗粒）1.5V为例，关闭GDM（关了2.5T技术才可以选2T和1T）和PDE（内存节电技术）
第一时序15－15－15－32－2T－1.5V、或16－16－16－36－2T－1.45V、不关GDM下16－16－16－36－GDM1T－1.4V由你喜欢选择


其性能如下
16－16－16－36－GDM1T－1.4V



16－16－16－36－2T－1.45V



15－15－15－32－2T－1.5V

在性能为目标还是选择最高的15－15－15－32－2T为测试基准


先确认第一参数稳定性

稳定性测试：使用TM5－Extreme1－anta777


解释一下为什么不用14－14－14－28－1T？
首第一个14跟电压走，第二个14跟体质走，第三个跟第二个走，28是前三者最大数两个之和，第一个14在4000频率时（本人BDIE颗粒体质）要稳定最少电压1.58V，电压已超出能接受范围，第二个14更难，不是超级雕体质BDIE，几乎很难~除非…………嘿嘿。


2、第二参数调整（调整参数以实测性能反应先收集素材）


tRC（默认90）－29

以最低开机，能开就能稳，增加读、复、降延迟
降低TM5完成时间



tRFC（默认700）－300
大幅增加读、复、最大降延迟，300为基数，稳定性跟着电压走，在1.4V时稳定300－312，1.5V时稳定260－280




tWR（默认26）－10
以最低开机，能开就能稳，增加读、复



tWTR_S_（默认5）
tWTR_L_（默认14）测试参数3、9
能开最高就可以稳，性能几乎没变化



tRRD_（默认8）
tRRD_（默认11）
测试参数4、4（不稳定）
性能几乎没变化
tRRD6/tRRD9稳定
在高电压下1.65V以上时，缩紧时序大幅降低TM5完成时序




tRTP（默认14）9
能开机值+1就能稳，增加读、复


tFAW（默认42）－6
能开就能稳，增加读、复，大幅增加3DMARK的CPU分数



tCWL（默认14）－11
tCKE（默认9）－1
注：这是一对组合参数，必须两个同时改，单改tCWL在11、12、13都跑不稳！
tCWL增加读、复
tCKE没变化

完成第二组参数修改后测稳定性



3、第三参数调整（调整参数以实测性能反应先收集素材）
tRDRSC_l（默认6）－4
tWRWRSC_L（默认6）－4
是一对组合参数，对内存性能巨大提升
能降多少就看体质
大幅增加读、复


tRDRDSD（默认5）
tRDRDDD（默认5）
这对组合参数对性能没有影响，降低此值会增加延迟
保持默认

tWRWRSD（默认9）
tWRWRDD（默认9）
这对组合参数对性能没有影响，降低此值会增加延迟
保持默认

注：如果反过来增加此值会降低延迟


tRDWR（默认13）
降低开不了机

tRDRDSC（默认1）
tWRWRSC（默认1）
tWRRD（默认1）
这些值默认就好

调整完成后再试一次最后稳定性


完成内存调试后性能提升多少？
全默认，内存3600XMP


优化后

AIDA64Cache&Memory Benchmark
读、写、复制、延迟、全面提升10%
3dmark cpu部份也是提升10%


为了更方便小伙伴们调试，把测试数值以表格形式整理出来 红色表示与延迟有关参数。
从表中可以看出参数变化对应值，就像点菜一点，你想吃什么菜就看菜单点。
小伙伴们是不是很心动啊，马上来一波性能提升吧，免费的哟~！


下面带来高潮~如何让四代锐龙的延迟跑进50NS~！
首先准备硬件：四代锐龙处理器、500系主板，BDIE高频内存、稳定的FCLK2000最低要求
准备软件：AIDA64 Extreme、ZenTimings-legacy 、AMD Ryzen Master

1、SOC电压提到1.23－1.25V
2.内存电压提到1.7V


2.把驱动加强60－20－20－20
改成真1T


3.第一时参14－14－14－28－1T真第二时参按图表中对延迟有关的红色参数修改。


反向操作增加
tRDRDSD（默认5）6
tRDRDDD（默认5）6
tWRWRSD（默认9）10
tWRWRDD（默认9）10



极致延迟跑分46.1NS！


全参数46.1NS！

在内存高电压下很多参数会变得很容易降低，并延迟降得更多~

本贴子解析内存性能与延迟影响，把内存提升与调教变得更容易~！

希望我的贴子能帮小伙伴们更上一层楼，个个成为锐龙大师哈~！

panzerlied

46.1ns

很帅气

sevenleaves

分开都看得懂，连起来就哈口。

13354

看了下，也就是说Bdie在1.4V下也就跑16－16－16－36 2T？真1T还跑不了？

这个南亚Adie貌似4000下参数也很好看了…
SOC可以开那么高么？

kqb981

顶一波！

yuanye8887

学了大佬的帖子真的解我燃眉之急

psone

13354 发表于 2020-12-28 17:00
看了下，也就是说Bdie在1.4V下也就跑16－16－16－36 2T？真1T还跑不了？

这个南亚Adie貌似4000下参数也很 ...

SOC电压在1.2左右都是安全的
BDIE真1T可以跑，但过不了稳定性测试，应该是U的原因，上个3700X在同板同内存下可以真1T过测

lacsiess

1.7V,特挑B-die......抱歉,打扰了,路过~~~南亚A-die给1.42V电压 4000能到52左右,不折腾了

psone

lacsiess 发表于 2020-12-28 17:19
1.7V,特挑B-die......抱歉,打扰了,路过~~~南亚A-die给1.42V电压 4000能到52左右,不折腾了  ...

南亚A－DIE能做到52NS？那进步相当大，追上BDIE了

runxiangyinqi

牛逼，要是5900x也跑进50ns，那么intel hdet可以扔了

neozbwhawk

你这得花多长时间折腾啊，我去，耐心必须给你顶一个，造福坛友给力啊

xytian

CDIE内存是不是看再多也没救了？~

hismiler

厉害了，收藏一下，有空试试

linsen775

非常详细了，感谢，设置和效果都有截图展示。
有心了。

szat000

46.1NS，厉害

toddler

佩服 楼主的耐心

ligs85

哇！
这测试也太淦了！ 辛苦辛苦

超SOC电压会让CPU功耗、发热增加吗？

Alienxzy

哇，要是上个B550 Unify-X，岂不是还能有提升

hoolay

教程有了，4000C14的条子给我来两根

xks07

好贴   
调内存真的好麻烦

seasky002

舍得电才有效能，厉害！

ykdo

46.1NS，楼主真大神啊

起飞

收藏了

zhangzhonghao

楼主给力

zcjzcj11111

大兄弟，你真牛逼

FlyingCoffin

顶一个，DIY精神，赞赞赞
46.1 这是目前为止的延迟记录了吧

feiying2222

太牛逼了，分离架构能玩成这样，膜拜……

xd809607

干活，先收藏了~！