旺宏96层3D NAND Flash于去年12月量产 2023年底完成192层产品开发

埃律西昂

来源： CINNO Research

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旺宏三维储存型快闪存储器（3D NAND Flash）产品开发有新进展，96层3D NAND Flash产品于去年12月量产。

旺宏为全球唯读存储器（ROM）龙头，在编码型快闪存储器（NOR Flash）领域也居领先地位，近年在3D NAND Flash的进展备受市场关注。

旺宏48层3D NAND Flash产品于2021年9月量产，据旺宏官网最新资料显示，96层3D NAND Flash于2022年12月量产。旺宏先前表示，预计2023年底进一步完成192层3D NAND Flash产品开发。

因应3D NAND Flash研发及营运所需，旺宏董事会去年12月通过新台币26.48亿元资本预算，包含2023年资本支出及3D NAND Flash研发机器设备，预计2023年第1季起陆续投资。

旺宏同时持续推进序列式快闪存储器技术，今年1月开始量产45奈米3V序列式快闪存储器（Serial Flash）系列产品。

当三维储存型快闪存储器的堆层数越高，每一堆层的厚度会越薄，芯片尺寸会变得更小，另一方面，芯片容量却能因此大幅提升，实现了尺寸变小、容量变大的目标。