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[其他] “在封装竞赛中获得对台积电领先的武器” 三星本月早些时候发布4大封装技术路线图

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发表于 2023-4-13 11:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 埃律西昂 于 2023-4-13 13:22 编辑

Source: https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=20514



  • 三星电子AVP业务团队产品战略部Byung-Yeon Cho在会上发言
  • 公布了四个结合内存技术的先进封装平台
  • 高带宽存储器集成平台......12个HBM即将问世
  • 开发了用于移动应用的逻辑3D IC集成平台技术



三星电子公布了一个结合内存技术的先进封装平台。这是一项下一代技术,该公司正准备在与台积电的代工竞赛中取得领先。

三星电子AVP业务团队产品战略部的Byung-yeon Cho本月5日在水原会议中心举行的韩国微电子和封装协会2023年年会上宣布了先进封装技术路线图。

"你可能会挠头,但三星电子在封装技术方面有很高的竞争力,"Cho说,"我们正在创建一个结合存储器技术的先进封装平台(以加强我们的封装竞争力)。"

三星今天公布的先进封装平台有四个:Low Power Memory Integration Plaform (低功耗内存集成平台);Wide I/O Memory Integration Plaform(宽I/O内存集成平台);High B/W Memory Integration Plaform(高带宽内存集成平台);以及Logic 3D Intergration Platform(逻辑3D IC集成平台)。

低功耗内存集成平台是针对移动产品而设计的。它采用扇出式面板级封装(FO-PLP)和扇出型晶圆级封装(FO-WLP),将LPDDR内存芯片堆叠在逻辑半导体之上。由于该平台是为移动设备设计的,因此它关注的是尺寸、厚度和散热。三星表示,FO-PLP目前正在量产,而FO-WLP计划在今年第四季度进行量产。



宽I/O存储器集成平台是一种利用LLW(低延迟宽IO)D-RAM的封装,目前正在开发中。通过在RDL之上堆叠逻辑半导体和LLW D-RAM,有可能改善延迟、带宽和电源效率。

高带宽存储器集成平台是三星著名的封装技术I-Cube,它通过在硅插板上堆叠逻辑半导体(如CPU和GPU)和HBM,使性能最大化。由于人工智能技术的商业化,该平台最近引起了客户的关注,应客户要求,HBM的数量也在增加。目前,最多可以安装8个HBM。三星计划在明年进行12个HBM的平台鉴定测试。

逻辑3D IC集成平台是一种堆叠逻辑半导体的封装技术,主要用于HPC和服务器。三星从2016年开始大规模生产带有微凸点的3D IC产品,最近开始开发去除凸点的铜焊。 三星还开始为高端AP市场开发3D IC,并预计该技术将在两到三年内实现商业化。



援引sedaily报道,三星AVP事业组首席工程师称首个采用低功耗内存集成平台FOWLP技术分支的将是三星自己的Exynos芯片。



据消息人士@Tech_Reve爆料,上述“Exynos芯片”指的就是Exynos 2400。
发表于 2023-4-13 12:52 | 显示全部楼层
韩国人是真的能卷啊
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