内存也要搞3D堆叠了？Neo 半导体推出 3D X-DRAM

PPXG · 发表于 2023-5-10 15:20

https://www.ithome.com/0/691/680.htm

IT之家 5 月 10 日消息，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。

3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb，每个芯片 230 层，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。

Neo Semiconductor 认为，与其他 3D DRAM 替代方案相比，该解决方案可以更轻松地扩展，并且实施成本更低，使其成为在不久的将来取代 2D DRAM 的可靠候选者。

3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元（FBC），利用当今成熟的 3D NAND 工艺，只需要一个掩模（mask）即可定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种方法可以大大简化 2D DRAM 的生产、实施和过渡。

根据 Neo Semiconductor 的估计，到 2025 年，存储容量可能会翻一番，达到 256 Gb，而十年内可以提供 1 Tb 容量。更多信息将在 2023 年 8 月 9 日的闪存峰会上发布。

xsdianeht · 发表于 2023-5-10 15:22

成本更低，真的吗

kinglfa · 发表于 2023-5-10 15:29

给内存也得上360冷排？

iooo · 发表于 2023-5-10 15:33

感觉3D技术非常适合低制程的高密度方案

脸肿汉化组 · 发表于 2023-5-10 15:36

频率能跑到多少？

Allegorie · 发表于 2023-5-10 15:36

热量怎么办，dram要随时刷新的啊

zhuifeng88 · 发表于 2023-5-10 15:39

本帖最后由 zhuifeng88 于 2023-5-10 15:57 编辑

Allegorie 发表于 2023-5-10 15:36
热量怎么办，dram要随时刷新的啊

dram本来就没多少功耗, 每die现在工作中不超过0.5w, 而且其中大部分是活动部分的功耗, 堆叠不会增加活动部分
拿公开资料明确的ddr3举例, 读写数据的时候功耗850mW, 而保持数据所需的最低功耗是self-refresh模式的22mW, 假如用这玩意堆叠230层来获得230倍容量的话同时最多只需要1个在读写状态, 其他层完全可以放到低功耗模式下, 最大功耗就是5.888W, 不构成什么问题
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lh4357 · 发表于 2023-5-10 15:39

Allegorie 发表于 2023-5-10 15:36
热量怎么办，dram要随时刷新的啊

所以D5在默认情况下，相比D4有更低的TREFI。

caoyuxin · 发表于 2023-5-10 15:42

每个芯片 230 层，才高 8 倍？？？

bxhaai · 发表于 2023-5-10 15:52

Allegorie 发表于 2023-5-10 15:36
热量怎么办，dram要随时刷新的啊

加大散热片，不行就上风扇，再不行上水冷

dens · 发表于 2023-5-10 15:55

所以这种技术的特点是拥有更高的容量?频率呢，效能呢

用户 · 发表于 2023-5-10 15:57

发热一句没提，热炸了吧。sram，dram堆叠，jim keller钦点不可行。大脑皮层面积大，但厚度就8层细胞，类比到芯片3d堆叠上，意思是叠8层可以了，再多可能要醒一醒

zhuifeng88 · 发表于 2023-5-10 15:59

本帖最后由 zhuifeng88 于 2023-5-10 16:00 编辑

用户发表于 2023-5-10 15:57
发热一句没提，热炸了吧。sram，dram堆叠，jim keller钦点不可行。大脑皮层面积大，但厚度就8层细胞，类比 ...

大脑皮层的8层是需要同时工作的, dram和nand堆那么多层不需要同时工作, 只是叠起来增加容量罢了, 1层工作其他层就可以在最低功耗模式下, 准确的说只有一层也本来就是这么做的, 激活一列读写数据的时候其他所有列都什么都不干

Allegorie · 发表于 2023-5-10 16:01

zhuifeng88 发表于 2023-5-10 15:39
dram本来就没多少功耗, 每die现在工作中不超过0.5w, 而且其中大部分是活动部分的功耗, 堆叠不会增加活动 ...

原来如此，那这个看上去比tsv更加可行啊

vito- · 发表于 2023-5-10 16:47

是不是内存又要降

sinopart · 发表于 2023-5-10 16:57

那么，古尔丹，发热问题怎么解决呢？

KazamiKazuki · 发表于 2023-5-10 16:59

这图的结构和CT NAND也太像了吧

caucpp · 发表于 2023-5-10 19:20

家用内存准备可以上TB级别了吗

binne · 发表于 2023-5-10 20:37

caoyuxin 发表于 2023-5-10 15:42
每个芯片 230 层，才高 8 倍？？？

显然单层cell面积变大了。现有的深槽dram很难堆起来，改材料改结构这样面积就变大了。

binne · 发表于 2023-5-10 20:43

KazamiKazuki 发表于 2023-5-10 16:59
这图的结构和CT NAND也太像了吧

这就是把计算机刚发明的时候的磁环内存集成电路化。平面工艺，3D
工艺，工艺就是工艺，实现功能看用什么材料。

binne · 发表于 2023-5-10 20:48

caucpp 发表于 2023-5-10 19:20
家用内存准备可以上TB级别了吗

还是看需求。如果没有应用需要调用tb级内存，1tb内存，那就拿着4090来扫雷。

sun1a2b3c4d · 发表于 2023-5-10 20:57

sinopart 发表于 2023-5-10 16:57
那么，古尔丹，发热问题怎么解决呢？

在3D堆栈的内存芯片中插入一个热电效应散热模块

堕落的翼 · 发表于 2023-5-10 23:20

zhuifeng88 发表于 2023-5-10 15:39
dram本来就没多少功耗, 每die现在工作中不超过0.5w, 而且其中大部分是活动部分的功耗, 堆叠不会增加活动 ...

这个结构……咋没看出来存储电容在哪里呢

堕落的翼 · 发表于 2023-5-10 23:22

binne 发表于 2023-5-10 20:37
显然单层cell面积变大了。现有的深槽dram很难堆起来，改材料改结构这样面积就变大了。 ...

这样存储电容容值有保障吗，这个nand堆叠法读取写入扰动感觉不会很好看

958813826 · 发表于 2023-5-10 23:48

内存硬盘合并算了省心

赫敏 · 发表于 2023-5-11 00:04

binne 发表于 2023-5-10 07:48
还是看需求。如果没有应用需要调用tb级内存，1tb内存，那就拿着4090来扫雷。 ...

那还不简单，直接取消外存呗

建议柠檬 · 发表于 2023-5-11 07:37

想起了TSOP2封装物理堆叠的DDR1代REG内存

i1908cv32 · 发表于 2023-5-11 09:25

zhuifeng88 发表于 2023-5-10 15:59
大脑皮层的8层是需要同时工作的, dram和nand堆那么多层不需要同时工作, 只是叠起来增加容量罢了, 1层工作 ...

纯粹好奇啊，也不是杠什么的，那个....就是不同时工作的话，我要辣么大容量干什么捏？

MolaMola · 发表于 2023-5-11 10:04

i1908cv32 发表于 2023-5-11 09:25
纯粹好奇啊，也不是杠什么的，那个....就是不同时工作的话，我要辣么大容量干什么捏？ ...

这个去了解一下现代电脑的分层储存结构吧

MolaMola · 发表于 2023-5-11 10:06

dens 发表于 2023-5-10 15:55
所以这种技术的特点是拥有更高的容量?频率呢，效能呢

有很多应用需要容量而不那么需要高频率和效能的，当然，都不是一般的家用个人电脑

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