跟随长存、铠侠-西数脚步，消息称三星、SK海力士未来也计划将混合键合技术用于NAND

埃律西昂

来源： The Elec
原文标题： 삼성·SK하이닉스도 낸드플래시에 하이브리드 본딩 적용 검토

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继中国存储芯片制造商YMTC之后，包括Kioxia、三星电子和SK海力士在内的其他主要存储芯片制造商预计也将在NAND闪存中采用混合键合技术。Kioxia 正在其 218 级产品中立即采用混合键合技术，这些产品预计将于明年发布。该公司计划通过分离外设和存储单元，然后将两个晶圆堆叠在一起来制造 NAND，从而提高生产效率。据报道，三星电子和 SK 海力士也在研究混合键合技术。三星最近发表了一篇相关论文。它被解读为一种应对 NAND 日益脆弱趋势的策略。

"许多公司已经决定在 NAND 上应用混合键合技术，"TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 最近对 Dilek 说，"Kioxia 将率先在明年发布的第 218 代产品上应用'Xtacking'方法，"他说。"Kioxia称这种方法为'CMOS直接键合到阵列'（CBA），而不是Xtacking。"

混合键合是封装技术的下一个大趋势。它将晶圆或芯片堆叠在一起，形成一个半导体。它具有改善输入/输出（I/O）和导线长度的优势。根据堆叠方法的不同，可分为晶圆到晶圆（W2W）、晶圆到芯片（W2D）和芯片到芯片（D2D）。其中，以晶圆对晶圆的 W2W 堆叠方式产量最高。YMTC 也在通过 W2W 生产 nand。在韩国，三星电子等公司正在将 W2W 应用于 CMOS 图像传感器 (CIS)。

目前，除 YMTC 外，其他 NAND 公司都是通过在外围设备上堆叠存储单元来制造 NAND 的。这意味着它将分为逻辑晶圆（外设）和单元阵列晶圆。"三星电子正计划在 V11 和 V12 前后的量产中应用混合键合技术，"他说，"海力士并不清楚具体的应用时间，但它已经在路线图上了。"三星最近在电气与电子工程师学会（IEEE）会议上提交了一篇关于 NAND 混合键合应用的论文。

不过，量产需要获得专利。行业分析师估计，台积电持有 50% 以上的相关专利，而 Xperi 持有约 30%。YMTC 正在利用 Xperi 的专利量产混合键合的 nand。Choi说："据推测，他们将与Xperi签署许可协议，""如果不可能，他们将试图通过与台积电签署协议来避免这种情况。"

YMTC 正在考虑堆叠三个晶圆，以规避美国的公共制裁。一个逻辑晶圆和两个电池阵列晶圆将被堆叠在一起。YMTC 称之为 "堆叠 4"。目标是用这种方法制造出 300 多个纳米节点。  今年上半年，YMTC 出货了 232 层 nand 产品。Choi说："（在堆叠三个晶圆时），必然会出现良率问题。""你必须把存储单元堆叠在一起，如果排列不对，产品就无法使用。""他补充说："你需要精细控制在 12 到 15 纳米之间，这在后处理中非常困难。

TechInsights 是全球最大的半导体逆向工程公司。它为半导体公司提供专利侵权分析等服务。Choi 是 TechInsights 的高级副总裁，负责存储器业务。