|
|
根据网上教程自学超频，终于把手里的cpu和内存压榨到接近极限了 超频过程获得的一些经验拿出来分享，抛砖引玉，大神见笑
下面是内存过测以及时序，cpu内存跑分 其中内存时序蓝框部分为自动，tWTR_S/L 两项是由tWRRD_sg/dg控制，并且实际数据应该是软件显示数值+2，所以tWTR_S显示为负数
内存跑分
内存过测和时序
cpu跑分
我这颗14900k大核比较雷，5.8需要的电压过高，散热压不住 大核5.7 小核4.6 ring5.0 z790吹雪主板防掉压level7 烤机满载1.299v过测 r15 30圈，内存电压1.56v sa 1.46v vddq 1.4v
单条32g的16Gbit cjr颗粒内存的特点：
价格低廉，tcl trcd trfc时序压不紧，延迟相对双面bdie较差
吃高电压，内存加压到1.55-1.6v问题不大，上高频的主要瓶颈不是内存本身，而是取决于主板支持和imc体质
部分时序比如 tCAS tRRD_S/L tFAW tRTP tWTR_S/L可以压的很紧，所以带宽表现良好，尤其是复制带宽
下面是我的超频流程以及超频过程中遇到的问题和经验：
1、第一步确定两条内存的体质，方法：分别单独插内存到最远离cpu的插槽，设定频率，跑tm5 anta777 extreme 1分钟，找到最小过测内存电压，过测电压越小体质越好。体质好的内存插在靠近cpu的第二槽，差的插在第四槽。
这么做的原因是因为，内存超频是木桶原理，体质差的内存要匹配信号强的插槽，加上32g×2内存超频困难 实测我这对内存电压相差0.04v,连号条体质都有明显差别，可见品控之一般
2、市面上常见的两家32g×2 cjr颗粒内存，散热马甲极差，薄铁片+泡棉双面胶，基本上都是要换马甲的，内存风扇也是必不可少 内存超频我个人理解就是控制变量法，充足的散热避免后续压时序的时候温度干扰判断
3、先超cpu再超内存，同样是基于控制变量法，避免cpu不稳定对内存超频的干扰。同时cpu超频最好留足散热余量，因为cpu温度过高会影响imc稳定性 我个人的过测标准是开启HWiNFO64时用脚本跑r15 30圈，并且HWiNFO64最下面的Windows Hardware Errors (WHEA)没有报错，过测r15再跑一次30分钟r23。 r15 30圈是最低要求，我遇到过25圈报错的情况；r15软件和WHEA均没有报错才算过测，因为存在r15 跑满30圈，r15不报错，WHEA报错的情况
4、超完cpu摸imc，我个人是将时序设置为22-26-26-52-2N,内存电压1.35v，其余全自动，找最大过测y-cruncher 0-1-8的频率，选择y-cruncher 0-1-8的原因是瞬时压力大，而且跑一圈用时很短2-3分钟
5、tm5和y-cruncher这两个软件在超频32g×2 cjr颗粒时在压小参时以 最新版的y-cruncher 1-8-18-0（VT3）为主。主要原因是，双面cjr颗粒小参无法像bdie那样都压得很紧，高频跑测主要是看imc撑不撑的住。tm5 anta777 extreme完整跑完要4-5个小时，y-cruncher 1-8-18-0（VT3）验证只要20分钟就足够了。按我自己摸索时序的经验，除了tWR这个时序，绝大部分其他时序能过yc 1-8-18-0（VT3）也能过tm5 5个小时测试。yc 1-8-18-0的主要压力点在5分钟 10分钟 15分钟这几个节点，对电压及其敏感，tm5需要二三个小时才报错，yc只要几分钟，效率差距非常大。当然tm5跑测也不能省，适合作为阶段和最后验证。
6、网上有很多ddr4超频的公式还有tm5报错表，实际上tm5报错表非常不可靠，时序公式很多都是基于bdie的经验公式，并不可靠。最好的还是笨办法，控制变量逐个压时序。
7、压tCL tRCD tCAS 及调整内存 sa vddq电压时以yc0-1-8快测为主，逐一压紧，最后跑20分钟yc 1-8-18-0，trefi设置65535，一般vddq电压1.4不用动，一般跑双面cjr 4400紧参需要内存电压1.55+ sa电压1.45+
8、压tRRD_S/L tFAW 从4-8-16开始尝试，一般都能压到4-4-16。这一组时序比较吃电压 需要在上一步的基础上少量加内存和sa电压。这一组时序对性能影响很大，压不紧可以考虑降频率。跑20分钟yc 1-8-18-0，有时间可以跑一下tm5 anta777 extreme完整三圈
9、tRTP一般都能压到6，tCWL 为等于tCL或+-1，这项按主板自动给的即可 tccd_L tCKEY均为8 tWR我建议自动，这项时序很不好确定稳定性，要么放到最后压。跑20分钟yc 1-8-18-0
10、tRFC需要参考下面这个表格。 双面cjr颗粒4400频率从770开始往下压，按表格数值来就好，表格给出的数值相对准确，实测704过测，700就秒报错。这一项建议跑yc 0-1-8,因为tRFC对内存和imc温度很敏感，yc 0-1-8瞬时压力高，温度也高
11、tWTR_S/L 两项是由第三时序tWRRD_sg/dg控制的，tWTR_S/L 建议自动 公式是tWTR=tWRRD-tCWL-4，注意系统内软件显示的tWTR_S/L需要+2才是实际数值。因为公式的关系，第三时序必须在tCWL之后调整
12、压好第二时序后建议完整跑三圈tm5 anta777 extreme验证稳定性
13、第三时序一般来说能开机就稳定，tRDRD_dg和tWRWR_dg设为4，逐项压tRDRD_sg、tRDRD_dr/dd 、tWRWR_sg、tWRWR_dr/dd，每一项压到正好能开机，跑10分钟yc 1-8-18-0（VT3）。然后是tRDWR_sg/dg/dr/dd四项，这四项一般参数相同，压到开机跑yc 1-8-18-0
14、tWRRD_dr/dd这两项尤其要注意，这个两个参数是能压到1-1过测的，但是1-1相较于6-6 复制性能会大幅度下降，所以这项参数并不是越小越好 建议从9-9开始，每下降一次跑一次AIDA64内存复制效能，观察性能是否下降
15、最后通过tWRRD_sg/dg开控制tWTR_S/L ，先压tWRRD_dg。对于cjr颗粒，tWRRD_dg可以压的较紧，tWRRD_sg略松
16、压完第三时序后建议完整跑三圈tm5 anta777 extreme验证稳定性
17、最后如果有闲工夫可以压一下tWR,这项不好验证稳定性，y-cruncher 1-8-18-0（VT3）难以判断，需要跑tm5
最后还是感谢一下网上提供各类教程的大神，ddr4折腾就到此为止了
|
评分
-
查看全部评分
|
310112100042806
发表于 2024-3-23 12:23
