EMI子板的PCB底部图: 上图红框中的一个SO-8集成块,是PI公司的智能电荷泄放IC CAP008。X电容储存的电荷通过这个IC及其串连的电阻进行泄放:在线路接通电源的时候自动断开,消除泄放电阻的功耗;在电源撤除或断开时自动接通泄放电阻。这个IC的运用说明HCP850在追求效率时连一般纯泄放电阻方案所消耗的几十毫瓦功率也不放过: 主PCB上的二级EMI抑制、涌浪保护、冲击电流抑制及整流桥元件。除去EMI子板上的元件,HCP850在主PCB输入线路上还布置了二级EMI抑制元件。紧接EMI抑制元件的是对于金牌电源来说必不可少的抑制开机涌浪电流用的NTC热敏电阻及旁路该热敏电阻的继电器,HCP850使用了能耐受 PFC电感使用的QP-4030铁氧体磁芯,属外磁体屏蔽结构,能有效降低因中心柱开气隙后EMI泄露的强度。另外,这个PFC电感还使用了利兹线绕制,降低PFC电流中交流分量导致的发热程度。 HCP的PFC电容由三个红宝石MXH系列的220uF450V的高压电解电容组成,采用三个直径较小的电容并联组成的形式。其原因有:a、分解为若干个小尺寸电解有利于线路板布局;b、并联后能降低总ESR值;c、并联后能提高电容耐受纹波电流的能力。实测PFC电压为380V,确保满载输出时能在PFC电容端电压降至70%水平前提供充足的保持时间(达25ms): |
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